东芝公司和SanDisk日前表示，将两公司合资建设的300毫米晶圆厂日程提前，这座新工厂将生产NAND闪存。新工厂将由东芝和SanDisk的NAND闪存合资公司—FlashVision进行运作，投产初期计划月产10,000片晶圆，将采用70纳米工艺。

双方指出，现有的闪存产能严重短缺，仅能满足需求的65%到70%，因而将原计划2006年开始投产的300毫米晶圆厂提前到2005年。

此前，NAND闪存主要厂商三星和东芝都表示，预期短缺情况将会持续到2004年末。SanDisk公司总裁兼首席执行官Harari也强调，“NAND闪存的市场发展将超过我们现有的生产能力。”

东芝半导体公司总裁Shigeo Koguchi预测，2003年到2006年全球闪存市场规模将会翻倍。而研究机构iSuppli预测，NAND闪存是半导体产业中发展最快的领域，2003年增长率达到44%，市场规模为44亿美元。

其他供应商也不断提升产能， 瑞萨科技(Renesas)也计划增加300毫米晶圆厂生产NAND闪存，并且在2004年开始向台湾力晶外包部分闪存业务。同时，三星电子调整了300毫米晶圆厂产能布局，将每月10,000片晶圆转向生产NAND闪存。

另外，闪存行业新军意法半导体/Hynix、英飞凌分别计划在2003年第四季度和2004年第一季度开始量产。

** 目前MP3播放内所使用的即为NAND闪存。